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WD准备将闪光芯片送出一半的容量

Western Digital(WD)已开始制造其3D NAND闪存芯片的第三代,从而增加了48到64的层数,并将其允许其加倍。

飞行员生产新的64层筹码已经开始于日本合资企业厂的WD“S Yokkaichi;预计今年第四季度的初始出货量与2017年上半年开始的”有意义的商业册“。

东芝

东芝“S 48层3D NAND芯片。

2015年,Sandisk及其技术合作伙伴Toshiba宣布使用BICS(比特 - 成本可扩展NAND)技术制造世界的第一个48层3D NAND产品。该BICS NAND Flash芯片提供了256Gbit(32GB)容量和存储的3位/间电池(晶体管)。该技术的最新迭代称为BICS3。

根据东芝,新的64层芯片在以前的BICS2技术上有40%的潜在能力。

东芝

SanDisk和Toshiba去年宣布他们正在制造256Gbit(32GB),每块3位(X3)48层3D NAND闪存芯片,它提供了两倍的下一个密度存储器的容量。3D NAND技术被称为BICS,简短于比特成本缩放。

3月,Sandisk股东通过西方数字批准了190亿美元的买断。

BICS3仍然与制造合作伙伴TOSHIBA开发的BICS3将最初部署在256Gbit容量中。但它将在一系列上的一系列容量中提供,在单个芯片上最多可容纳一半。

与2D或平面NAND不同,由一层NAND闪存单元组成,3D NAND与摩天大楼垂直堆叠细胞。

沙夹

由于2D NAND由于光刻尺寸和错误速率而接近缩放限制,因此堆叠以产生3D NAND的层消除了这些问题。该图像在中央存储孔周围显示水平堆叠的导电多晶硅层,其提供堆叠的NAND位。圆形孔最小化相邻的比特干扰并允许整体密度上升。

“基于业界领先的64层架构的下一代3D NAND技术推出了我们在WD内存技术执行副总裁Siva Sivaram中强化了我们在NAND Flash技术的领导下,在一份声明中表示。“BICS3将采用3位按细胞技术以及高纵横比半导体处理的进步,以实现更高的容量,优异的性能和可靠性,以具有吸引力的成本。”

WD并不孤单在其3D NAND的发展中。2013年,三星成为第一个引入垂直TLC“V-NAND”的32层电池结构,基于充电陷阱闪光灯(CTF)和垂直互连工艺技术,以将单元阵列连接。

2014年,三星开始运送其32层“V-NAND”(垂直NAND)SSD,去年发布了48层产品。该公司甚至宣布它正在处理15TB原型桌面SSD。

英特尔及其SSD合作伙伴Micron还宣布了48层3D NAND。这两家公司正准备在今年晚些时候推出称为3D XPoint的电阻RAM(RERAM)产品(该公司将以“Optane”名称)销售。这种非易失性的记忆比NAND闪存更快地高达1,000倍,并且具有1000倍的耐力 - 但它预计将更昂贵。最初,3D xpoint内存将在两个堆叠的存储器层上存储128gbits每芯片。

英特尔

3D Xpoint技术是英特尔和微米的新一类存储器,依赖于散装材料的电阻变化来实现非波动性。3D XPoint技术使用散装材料来切换电阻状态,并且不依赖于统计变量的长丝。存储器单元和选择器中的架构和独特材料的组合使3D XPoint实现更高的密度和更好的性能和耐久性。

从第一次迭代,3D NAND闪存技术从两到10倍更高的可靠性提供,并且平面NAND的写性能的两倍。

然而,最重要的是,3D NAND除以光刻屏障平面(单级NAND闪光灯)面向尺寸以下15纳米以下15纳米的制造商缩小晶体管。较小的光刻过程导致数据误差作为薄壁电池之间泄漏的位(电子)。

“大笔交易是你在没有建造这些[3D NAND]一次摩天大楼摩天大楼。我们知道如何从24层到36层到48层到64层,依此类推,“Sivaram在今年早些时候在Computerworld采访时表示。“这没有物理限制。我们现在拥有的3D NAND是三个和四代的可预测的缩放 - 我们以前从未拥有的东西。“

Sivaram表示,他已经计划计划3D NAND芯片,超过100层。

“我们不会看到我们可以走的高度的自然限制。如果我四处询问,我们可以走了有多高,[NAND制造商]赢得了“T告诉我我们可以将它带到96或126层,并且在那里有一个身体限制,”Sivaram说。“这一直是我们的梦想了很长一段时间。”

英特尔

今年早些时候,英特尔和Micron开始运输3D NAND闪存驱动器,在M.2扩展卡中可以高达3.5TB的容量。

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