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IBM可能有一个更便宜的DRAM替代品

随着IBM推出一种方式来使其更加密集​​,更便宜地迈出了DRAM的替代品。

PCM(相变存储器)是少数新兴技术之一,其旨在比闪光更快,比DRAM便宜得多。他们可以将企业和消费者提供更快地获得数据,以较低的成本,但在这种情况下会克服挑战。

密度是其中之一,IBM表示,在该区域中实现了一种新的高,具有可以在每个单元上适合三位的PCM。这比公司于2011年展示的50%,以两位的PCM为止。更高的密度让IBM挤出更多的能力,其中仍然是昂贵的技术。

PCM已在一些产品中运输,但在相对较小的规模上。根据研究公司客观分析的分析师Jim Handy,根据Jim Smally,这一迭代可以做出诀窍使PCM成为更广泛的成功。到目前为止,它仍然比DRAM更贵,所以使用它没有大部分原因使用它,方便说。

PCM通过使用电荷从非晶的玻璃状物质改变玻璃状物质。与NAND闪存一样,它会在关闭设备时保存数据,DRAM无法做到。但PCM比Flash更快地响应数据请求:根据IBM,与70微秒相比,在不到一个微秒内。它还持续时间长于闪光,对于平均闪光USB棒的平均闪光灯,至少有1000万个写入周期与约3,000个周期。

三位PCM可以用作阵列内的速度更快,包括全闪存阵列,因此最常用的数据更快地达到应用程序。它还可以取代大量的DRAM在系统中,削减了像内存数据库的技术成本,方便说。

消费者也可以从技术中受益。例如,IBM表示,在三位PCM中存储在三位PCM中的操作系统的智能手机可以在几秒钟内启动。

内存和闪存之间的甜蜜点是一个受欢迎的地方。Intel和Micron使用3D XPoint来定位它,它使用堆叠的介质层。其他新兴技术包括RRAM(电阻RAM),MRAM(磁阻RAM)和忆内电阻。

与3D XPoint一样,三位PCM可以通过芯片制造商的支持来突破大规模成功,Handy表示。英特尔正在努力使3D XPoint合作与x86一起使用,而IBM正在为PCM带来电源架构的方式。这种买入对于大规模生产至关重要,这是推动新技术的成本。

IBM添加了两个功能以使新形式的PCM成为可能。一个是调整所谓的“漂移”的方法,这可以逐渐降低存储右值的内存能力。另一个刻板热量对PCM的影响,使其可以在正常系统温度下可靠地运行。

另一个拼图是如何将数据放到处理器,而不会在路上放慢数据。IBM在CAPI(连贯的加速器处理器接口)上投注,它在基于电源的服务器中使用的高速协议。CAPI在PCIe物理接口的顶部运行。

IBM未预测三位PCM将在大众市场系统中,部分原因是公司不会让人记忆并且必须找到合作伙伴。(过去在PCM上与SK Hynix合作。)该公司表示,大规模可用性可能需要两到三年。

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